专利金奖项目1：一种GaN与金刚石复合散热结构的制备办法

  第三代半导体工业是现代社会继续健康开展的柱石，在光电子、大功率器材和高频微波器材等使用方面有着宽广的远景，但随之而来的热效应却严峻限制其功能，热量堆积无法敏捷散失导致部分器材功能仅能发挥10%，影响器材稳定性。

  本专利针对半导体“热门”问题，发明性地选用高导热高绝缘金刚石散热，处理了金刚石浸润性差难以直接和半导体晶圆衔接的问题，为暖流分散发明新通路，完成超高暖流密度组件高效散热，器材功率密度显着提高，有用提高其功能、寿数及稳定性，助力第三代半导体的推广使用。

  现在，获奖专利已成功使用于GaN基雷达组件、智能芯片等高暖流使用场景，未来商场开展的潜力宽广。并与相关单位做产学研联合开发，完成了本发明专利效果的产出，加快了本发明专利的工业化进程，也为新一代金刚石资料工业高水平质量的开展奠定根底。